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基极和管型确定后,可用下述方法判别出发射极和集电极。
作者:edu2014给他留言 [原创] 字体:
发表于:
2014-12-10 16:20:15
基极和管型确定后,可用下述方法判别出发射极和集电极。
    (1)测量发射结和集电结正向电阻法
    由晶体管内部结构可知,不论PNP管还是NPN管,为了保证集电区收集空穴(或电子)的能力,一般集电区与基区之间的PN结结面做得比发射结结面大,所以两个PN结的正向电阻略有区别,即发射结的正向电阻略比集电结的正向电阻大。根据这一特点,就可以很方便地判别出晶体管的发射极和集电极。具体方法如下:万用表置R×1k挡,分别测量被测晶体管两个PN结的正向电阻,仔细观察两次表针指示的位置,以PNP型晶体管为例,指示阻值大时,黑表笔所接的电极就是被测管的发射极,另一脚为集电极;对于NPN型晶体管来说,表针指示阻值大时,红表
笔所接的电极为被测管的发射极,另一脚是集电极。
    应用该方法需注意:一是两个PN结的正向电阻相差很少,需要反复测试和仔细观察比较,最好用单眼观察;二是这种方法判别发射极和集电极简单快速,并且大多数情况下都是准确的;三是也有少数例外情况,就是说有些晶体管两个PN结的正向电阻几乎就没有什么差别,对这种情况应按下面介绍的方法进行测试。
    (2)测量发射极与集电极间正反向电阻法
    测试发射极与集电极间的正反向电阻都是很大的,但是两者也有大小之别,由此便可用万用表测试判别出发射极和集电极。如图6.21所示,万用表置R×1k挡,对于PNP型晶体管(管型先已判定)来说,用两表笔分别去碰未确定的两个电极(C、E极),测出一个阻值,交换表笔后再测出一个阻值,比较两次测试结果,以阻值小的那次为准,黑表笔接的那个极便是发射极,剩下一极为集电极。对于NPN型晶体管来说,以阻值小的那次为准,红表笔接的那个极便是发射极,另一极为集电极。对于PNP型晶体管来说,阻值小的那次,红表笔接集电极,黑表笔接发射极。测量发射极与集电极间正反向电阻法的原理如下一方面相当于给发射结加上较小的正向电压,有利于发射区的多数载流子空穴向基区扩散;另一方面又相当于给集电结加上反向电压,有利于收集由基区渡越
而来的空穴,其结果形成微小的导通电流,所以测得的电阻值就小一些。反之,如果红表笔接发射极,而黑表笔接集电极,就等于给发射结加了反偏电压,给集电结加了正向电压,因集电区是低掺杂,不利于多数载流子的扩散导通,所以测出的阻值就大一些。
    用此测试方法时要注意:对于一只性能很好的晶体管来说,其发射极与集电极间的正反向电阻是很大的,按上述方法测试时,往往正反向电阻均指示在C×ω处,也就无法判别出发射极和集电极。对此不可以通过加大万用表的欧姆挡位测试。因用R×10k挡测量时,要么阻值都很大,要么一个阻值很大(C×3)、另一个稍小,如仍以阻值小的那次为准判断,就很容易出错。比如测试一只NPN型3EG高频管,如图6.22所示。比较两次测试结果,以阻值小的为准,按理黑表笔接的应该是集电极,而实际接的电极刚好相反,即黑表笔接的是发射极,如图6.22(a)所示。由于此时相当于给集电结加上了正向电压,而给发射结加上了反偏电压,这样,一方面由于万用表输出电压(9v)较高,另一方面由于高频管的发射结的反向击穿电压很低(1~5V),结果使发射结被反向击穿(可逆性)而有所导通,因此测得的阻值反而小些。
    那么遇到正反向电阻很大,既不能用R×10k挡准确判断,而用R×1k挡又测不出来的情况时,可以用下述方法测试判别。
    (3)加基极偏置测量法
    其原理就是测有无放大倍数或放大大小来判定。对于NPN管来说,用红、黑表笔分别接在除基极外的任意两极上,如图6.23所示,再用手去捏住基极和黑表笔极,然后再将红黑表笔对调重测一次。比较两次表针偏转的大小,以偏转大(放大倍数大)的一次为准,黑表笔接的是集电极,红表笔接的是发射极。对于PNP管来说,应用手指捏住基极和红表笔极,表针偏转大的一次,红表笔接的是集电极,黑表笔接的是发射极。
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(本文引自www.mcujl.com/article.asp?conID=3105)


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